具有热ald沉积氧化物、氮化物、贵金属等薄膜材料的功能；具备未来等离子体增强ald、loadlock单元扩展功能。
应用
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度、成份和结构）
原子层沉积（atomic layer deposition，ald），最初称为原子层外延（atomic layer epitaxy，ale），也称为原子层化学气相沉积（atomic layer chemical vapor deposition，alcvd）。原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相前驱体物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。
目前可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等。中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（mems）的反静态阻力涂层和疏水涂层的种子层，纳米晶体，znse涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。
上述领域并不代表原子层沉积技术的所有可能应用领域，随着科技的发展在不远的将来将会发现其越来越多的应用。根据该技术的反应原理特征，各类不同的材料都可以沉积出来。已经沉积的材料包括金属、氧化物、碳（氮、硫、硅）化物、各类半导体材料和超导材料等。现在原子层沉积系统有国际品牌和自主品牌两类。在国外品牌以剑桥（cambridge）最为悠久，全球销售量几百台。其次以芬兰的beneq和picosun，在g端ald领域投入大量研发工作。近几年，在国内已经有几家设备公司先后完成研发，在市场上推出自己的机型。